在AI数据中心爆发式增长、向1.6T时代加速迭代的今天,ALOE Semiconductor凭借其革命性的双偏振强度调制直接检测(DP-IMDD)技术,成功突破短距光纤传输的容量瓶颈。这项技术不仅将单模光纤容量翻倍,更以低功耗、小体积、高兼容性三大优势,重新定义数据中心互连标准!
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参数 |
传统IMDD |
ALOE DP-IMDD |
提升幅度 |
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单纤容量 |
100G PAM4 |
400G DP-PAM4 |
4倍 |
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功耗效率 |
3.5W/100G |
<1.5W/100G |
降低57% |
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传输距离 |
≤2km |
支持10km以上 |
扩展5倍 |
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兼容性 |
传统PAM4 DSP |
兼容传统 PAM4 DSP |
零改造成本 |
一、技术原理及方案
通过激光器双偏振(TE/TM模式)并行传输两路独立信号,并在基于矢量偏振态(SOP)监测器的硅光子(SiPh)集成接收器中进行解复用,结合偏振恢复算法,实现单波长容量翻倍,突破传统IMDD单偏振限制。
1. 发射端DP transmitter (Tx):基于双偏振外部调制激光器(DP-EML)TOSA
创新采用空间偏振复用封装技术,将两组EML集成于26.8mm微型TOSA内。

图1(a)DP-EML TOSA的示意图,(b)器件实物图。
图 1(a) 显示了 DP-EML TOSA 的原理图:两个EML分别安装在两个单独的热电制冷器(TEC)上,TEC和监控光电二极管(PD)用于保持激光温度和输出功率恒定。空间偏振多路复用由光束准直器、隔离器、半波板和偏振光束连接器(PBC)组成。
图1(b)显示了 TOSA 的器件实物图。两个柔性印刷电路(FPC)用于电气连接,高频和低频信号路径分开。光输出端口使用了一个包含 SMF 的 LC 接口。实物尺寸为 26.8x6.7x5.3 mm。
激光器在80mA驱动电流下的光纤输出功率为5mW,1V至-3V反向偏压下,直流消光比(ER)超过10dB。

图2(c) 两个输出通道的光谱 (d) PER 与波长间距的关系
通过调整TEC,EML1固定在1306.6nm,EML2固定在1307.9nm,两个EML之间的波长间隔为1.3nm(如图2(C)显示的激光光谱)。图2(d)显示测量偏振消光比(PER)超过25dB,这将确保两偏振态之间的良好正交性。

图3 (e)(f) 两个输出通道的眼图
图 3(e)和(f)分别显示了每个偏振上均衡106.25Gbps 眼图。EML 1 的 TDECQ 为 2.7dB,ER 为 3.6dB;EML 2 的 TDECQ 为 2.7dB,ER 为 3.8dB。缩短 TOSA 和 DSP 芯片之间的射频互连有可能提高 TDECQ 和 ER。这种 DP-EML TOSA 可以升级到每偏振 200Gbps。
2. 接收端SiPh DP Rx:硅光子偏振解复用系统
DP-IMDD系统的接收端采用单片集成的硅基光电子芯片,结构紧凑(5.8 mm x 1.5 mm),包含偏振解复用器、矢量化偏振态(SOP)监测器和两个高速硅锗光电探测器(PD)。

图4:SiPh DP Rx的(a)框图 (b)芯片照片
偏振解复用器尤为重要,具有偏振恢复的功能。接受到的DP信号,经过偏振分束旋转器(PBSR)后,被分割被转换为横电(TE)模信号的两个支流。两个级联的马赫-泽恩德干涉仪(MZI)一起充当一个单元偏振控制器,与控制相位ϕ和θ,可将任何输入 SOP 转换为所需的解复用 SOP。
基于光混合器和低速 PD 实现的分接 SOP 监测器的分接比小于 5%,带宽小于 1GHz。
硅锗偏振器能够支持每个偏振 200Gbps 的速率,因此 DP Rx 潜在支持每根光纤 400Gbps 的速率。
3、偏振恢复算法
基于矢量化偏振态(SOP)监测和解析相位控制的主动跟踪机制,稳健、快速、无尽的偏振跟踪算法,避免多步盲搜索或爬坡算法,能够解决因光纤链路偏振态随机扰动导致的信号解复用问题。
该算法通过实时提取矢量化SOP监测器输出的信息,通过Stokes空间的三维矢量描述当前光信号的偏振状态。由于双偏振信号在光纤中需保持正交性,理想情况下调制数据的瞬时监测SOP形成一条穿过原点、并指向Poincare球上两个相反(正交)点的直线。分析瞬时SOP的协方差矩阵,算法可以确定最大方差方向,对应矢量化监测器SOP。
利用这些信息,算法可以计算出实现偏振解复用所需的控制相位(φ和θ)。这些相位的闭式解使得对任何随机输入SOP都能进行一步偏振恢复,从而实现快速准确的偏振跟踪。
二、传输实验
图5:1km 2x106.25Gbps DP传输实验设置
传输实验包括:DP EML TOSA 和SiPh DP RX。DP EML TOSA 通过 FPC 连接到评估板,并由Broadcom Centenario 87400 DSP评估板的4个通道中的2个驱动,线速率为106.25Gbps。DP Rx PIC通过引线连接到Macom跨阻放大器(TIA),其2个通道连接到DSP评估板以收集实时误码率(BER)。
使用1km SMF作为传输链路,以模拟数据中心内部应用。在链路中插入扰偏器,产生随机偏振旋转,以评估解复用性能。使用掺镨光纤放大器(PDFA)和可变光衰减器(VOA)补偿扰动器和设备带来的额外损耗。

图6:SP 和 DP 的 PD 灵敏度比较
对于静态偏振情况(未启用扰动),图6展示了单偏振(SP)设置和双偏振(DP)设置之间的Rx PD灵敏度比较。单偏振设置通过关闭DP EML Tx的一个通道并监测DP Rx的一个通道BER来配置。
结果显示,SP和DP均可实现约10⁻⁷ BER底限和-8dBm灵敏度(@KP4 FEC阈值为2.4 × 10⁻⁴)。SP和DP之间的性能差异可忽略不计,这证明了DP-IMDD方案的可行性。
在动态扰动情况下,随机偏振轨迹在Poincare球上可视化,如图5所示。用瞬时角速度直方图描绘扰动速度,最大速度约为100rad/s。图7(a)和(b)展示了两个Rx通道在动态扰动开启后的BER随时间变化,持续2分钟。两个通道的LSB和MSB均保持约10⁻⁷级别的稳定BER。

图7采用偏振扰动的接收误码率随时间变化情况 (a)通道 1 和 (b) 通道2
图8(a)和(b)展示了控制相位ϕ和θ、矢量化SOP监控e1,e2,e3的动态采样。可以看到,当控制相位持续跟踪输入SOP变化时,矢量化SOP可以保持相对稳定。
图8:(a)控制阶段和(b)SOP监控随时间的变化
通过对线路侧的 KP4 FEC 编码器和解码器进行调谐,执行后 FEC 实验。无论随机扰动还是手动摇晃、振动或扭曲光纤,2分钟内未观察到码字错误,报告的KP4 FEC T-max未超过4。
三、结论
本文演示了一种DP-IMDD传输系统,采用DP EML TOSA作为Tx、SiPh PIC作为Rx。通过实现所提出的快速收敛偏振恢复算法,成功在动态扰动情况下解复用2 × 106.25 Gbps DP信号。实验证明了低成本DP解决方案在数据中心内部应用中的可行性。该方案潜在适用于2 × 212.5 Gbps系统,基于EML或SiPh Tx,为现有SERDES的400-Gbps IMDD短距离传输铺平道路。
参考文献
[1] Y. Zhao, C. Doerr, F. G. Vanani, M. Takeshita, and H. Kamisugi, "Dual-polarization IMDD System for Data-Center Connectivity," in ECOC 2024
[2]Zhao, Ying; Doerr, Christ; Vanani, G, Fatemeh; et al., “Dual-Polarization IMDD System for Data-Center Connectivity”, IEEE Journal of Lightwave Technology, Early access DOI: 10.1109/JLT.2025.3561580, 2025
单通道400G文献报道
[3]Zhao, Ying; Doerr, Christ; Liu, Fengyu; et al., “425-Gbps/λ Dual-Polarization IMDD Transceiver Optical Fiber Communication Conference and Exposition (OFC/NFOEC), Th4B.5, 2025
四、产品信息
1. EV04DD1B-AL009A
400G DPDR1 Tx+Rx PIC EVB
技术:实现商业化的 180 纳米 SOI(绝缘体上硅)技术
特点:
- 106.25Gbaud
- 业内首个单激光器,双偏振400Gbps系统
- 由Broadcom或Marvell DSP直接驱动(无需驱动IC)
- 倒装芯片(Flip chip)
应用:
- 500 米 DR1 SMF 传输链路
2. AL53-DR4 TX: SP4DR4TD-AL001B 400G DR4 SiPh Tx PIC
技术:实现商业化的 180 纳米 SOI(绝缘体上硅)技术
特点:
- 53.125/56.25Gbaud ▫一个激光输入
- 由Broadcom或Marvell DSP直接驱动(无需驱动IC)
- 4个独立的100 Gb/s PAM4光发射机 ▫低插入损耗
- 可引线键合
-
用于光纤耦合和偏压控制的集成监控器
- 单通道106Gbps PAM4,4λ实现425.6Gbps吞
-吐量 - 传输10km功耗<9W,误码率<1e-12
应用:
- 500m DR4/ 2km DR4+ SMF 传输链路 ▫LPO 兼容
3. AL53-DR8-G2: SP8DR8TD-AL006A 800G DR8 SiPh Tx PIC
技术:实现商业化的 180 纳米 SOI(绝缘体上硅)技术
特点:
- 53.125/56.25Gbaud ▫两个激光输入
- 由Broadcom或Marvell DSP直接驱动(无需驱动IC)
- 8个独立的100 Gb/s PAM4光发射机
- 低插入损耗
- 可引线键合
- 用于光纤耦合和偏压控制的集成监控器
- 小尺寸:2.985 mm X 5.600 mm
应用:
- 500 米 DR8 SMF 传输链路
- LPO 兼容
4. AL112-DR4(Tx): SP8DR4TD-AL007A 800G DR4 SiPh Tx PIC
技术:实现商业化的 180 纳米 SOI(绝缘体上硅)技术
特点:
- 106.25/112.5Gbaud
- 由Broadcom或Marvell DSP直接驱动(无需驱动IC)
- 4个独立的200 Gb/s PAM4光发射机
- 低插入损耗 ▫倒装芯片(Flip chip)
- 用于光纤耦合和偏压控制的集成监控器
应用:
- 500 米 DR8 SMF 传输链路
5. AL112-DR4(Tx&Rx): SP8D4TRD-AL008A 800G DR4 SiPh Tx+Rx PIC
技术:实现商业化的 180 纳米 SOI(绝缘体上硅)技术
特点:
- 106.25/112.5Gbaud
- 由Broadcom或Marvell DSP直接驱动(无需驱动IC)
- 4个独立的200 Gb/s PAM4光发射机和接收机
- 低插入损耗 ▫倒装芯片(Flip chip)
- 用于光纤耦合和偏压控制的集成监控器
应用:
- 500 米 DR8 SMF 传输链路