特性

描述

备注

芯片尺寸

2.5 mm × 6.185 mm（厚度400 μm ± 5 μm）

无输出光纤

光输入端口

设计用于单个外部激光器的透镜耦合

芯片上有1 x 4分路器

光输出端口

设计用于直接对接耦合到符合G.652光纤

针对LBL SMF进行了优化

光信号偏振

TE

输入和输出

调制器驱动信号（Vp和Vn）

差分、直流或交流耦合

100 Ω阻抗

RF偏置电压（Vbias）

片上添加（参见图2）

所有调制器通用

RF直流偏置电压（Voffs）

片上添加（参见图2）

通用于所有调制器（仅与交流耦合Vp和Vn一起使用）

Mach-Zehnder偏置控制

热电移相器

每个调制器

激光输入监控探测器

片上分接MPD

-

TX输出监控探测器

3个片上MPD（两个互补）

每个调制器

电连接

焊线焊盘

对于RF和低速信号

参数

单位

值

条件

最小

典型值

最大

符号率

GBD

-

53

-

对于PAM4信号

工作波长

nm

1304

-

1318

规格适用的波长范围

电光带宽

GHz

25

27

30

3 dB滚降频率（无电子预补偿）

调制器消光比

dB

22

27

-

直流测量

光纤到光纤的光插入损耗（IL）

dB

13.5

14.5

16.0

对于每一通道，包括光纤耦合和所有片上损耗;在MZM的最大传输

任意两个通道之间的插入损耗

dB

-

-

1

所有输出通道之间的最大差异（相同波长）

TX输出端口处的光反射率

dB

-

−34

−27

所有四个输出端口的最大值

MZ调制器Vπ

V

5

5.7

6.5

直流；差分驱动

RF阻抗

Ω

89

91

93

平均高达40 GHz

电回波损耗（S11）

dB

-

-

−19

最大值高达40 GHz

任意两通道之间的倾斜度

ps

-

-

TBD

最大片上光电差分延迟

TOPS的Vset

V

2

-

6

MZM的第一个正交点

TOPS的Iset

mA

5

-

10

MZM的第一个正交点

TOPS的Pπ = Vπ ·Iπ

mW

-

16.5

-

第一和第二个空值之间

TOPS的电阻率

Ω

550

-

610

无外加电压

输出分接监控光电探测器的响应度

mA/W

-

0.5

-

对于 “MPD L”和 “MPD R”，参考光输入功率

工作温度范围

°C

-5

-

75

工作相对湿度范围（非冷凝）

%RH

5

-

85

注：AL53-DR4发射器PIC预期符合以下性能规格：

· TX平均输出功率≥ 1 dBm，输入激光功率≥ 20 dBm（最大IL）;

· 外调制消光比（ER outer）≥ 3.5 dB，差分PAM4输入信号≥ 2.5 V p-p（最大Vπ）。