费米能级可控势垒(FMB)二极管是一种基于InP/InGaAs异质结构的超低噪声THz探测器。FMB二极管用InGaAs/ InP异质界面(InP势垒~ 100mev)代替肖特基势垒二极管(SBD)中的金属/半导体界面。这种低的势垒高度可提供低的二极管差分电阻（Rd），并在二极管和宽带蝴蝶结型天线之间提供良好的阻抗匹配。
• 超低噪声等效功率（NEP）
• 高电压和电流灵敏度
• 零偏置电压操作
• 常温操作
• 自互补蝴蝶结型天线
• 集成准光学探测器
H.Ito et. al., Jpn. J. Appl. Phys., 56(1), pp. 014101-1-014101-7, 2017
异质势垒结构由n-InGaAs，未掺杂的InP和n-InP层组成。根据载流子密度，高掺杂n-InGaAs中的费米能级可以位于导带边缘以上（称为“带填充效应”）。基于该特征现象，可以将InP / InGaAs异质界面处的势垒高度（ϕBn）降低至100meV以下。由于通过如此小的势垒高度实现了低差分电阻，因此集成了宽带扇形90°蝴蝶结型天线的FMB二极管可产生约5.0 pW / sqrt（Hz）的良好噪声等效功率。
H.Ito et.al.,Jpn.J.Appl.Phys.,56(1),pp.014101-1-014101-7,2017
IOD-FMB-18001模块非常适合应用于超低噪声的平方律检波。所获得的电压灵敏度在300 GHz时高达2MV/W，在1THz时高达0.2MV/W。上图显示了IOD-FMB-18001的输入功率和输出电压之间的关系。300GHz的动态范围超过100dB（105）。噪声等效功率（NEP）估计在300GHz时低至3.0pW/sqrt（Hz），在1THz时低至33pW/sqrt（Hz）。
H.Ito et. al., Electron. Lett., 54(18), pp.1080-1082, 2018
外差检测方案是实现低噪声测量最有用的技术。IOD-FMB-19001专为外差检测而设计，是带有宽带跨阻放大器（TIA）的准光学FMB二极管模块。该模块在平方律检波模式下在300GHz时表现出约21kV/W的差分电压灵敏度，在外差检测模式下显示出约11GHz的IF带宽。上图显示了300GHz附近NEP与LO功率之间的关系。此处获得的最低NEP约为1.1×10-18W/Hz，LO功率仅为6μW。
